NE685M13

更新时间： 2024-09-25 03:46:43

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CEL		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE685M13 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

NE685M13 数据手册

NEC's NPN SILICON TRANSISTOR

NE685M13

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M13

•

NEW MINIATURE M13 PACKAGE:

– Small transistor outline

– 1.0 X 0.5 X 0.5 mm

– Low profile / 0.50 mm package height

– Flat lead style for better RF performance

0.7±0.05

(Bottom View)

0.3

+0.1

0.5

ñ0.05

•

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 12 GHz

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.5 dB at 2 GHz

DESCRIPTION

NEC's NE685M13 transistor is designed for low noise, high

gain, and low cost requirements. This high fT part is well suited

for low voltage/low current designs for portable wireless

communications and cellular radio applications. NEC's new

low profile/flat lead style "M13" package is ideal for today's

portable wireless applications. The NE685 is also available in

six different low cost plastic surface mount package styles.

0.2

0.1

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE685M13

2SC5617

M13

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZOPT

Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0

GHz

12.0

1.5

2.5

|S21E|²

7.0

11.0

hFE

140

0.1

0.7

ICBO

IEBO

µA

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.4

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

3-155

12 3 4 5 6 7...9

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与NE685M13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE685M13-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 1 X 0.50
NE685M13-T3-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M23	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
NE685M33-T3-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-T3-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
NE686	NEC	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE686	CEL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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