NE685M03

更新时间： 2024-09-24 22:23:59

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE685M03 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

NE685M03 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON TRANSISTOR NE685M03

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M03

•

NEW M03 PACKAGE:

1.2±0.05

• Smallest transistor outline package available

• Low profile/0.59 mm package height

• Flat lead style for better RF performance

0.8±0.1

•

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 12 GHz

1.4 ±0.1

(0.9)

0.45

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.5 dB at 2 GHz

0.3±0.1

DESCRIPTION

0.2±0.1

The NE685M03 transistor is designed for low noise, high gain,

and low cost requirements. This high fT part is well suited for

very low voltage/low current designs for portable wireless

communications and cellular radio applications. NEC's new

low profile/flat lead style "M03" package is ideal for today's

portable wireless applications. The NE685 is also available in

six different low cost plastic surface mount package styles.

0.59±0.05

+0.1

-0.05

0.15

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE685M03

2SC5435

M03

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 10 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0

GHz

1.5

|S21E|²

2.5

hFE

140

0.1

0.7

ICBO

IEBO

µA

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.4

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

California Eastern Laboratories

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE685M03-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M03-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 1 X 0.50
NE685M13-T3-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M23	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M33-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
NE685M33-T3-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR

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