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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68133-T1B-R35-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68133-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| NE68135 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE68135 | NEC |
获取价格 |
NONLINEAR MODEL |
|
| NE68135-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NE68135-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, MICRO-X-4 |
|
| NE68135-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
|
| NE68135-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
|
| NE68137 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | MACRO-X |
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| NE68139 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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