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NE663M04-T2-A

更新时间： 2024-11-14 20:19:47

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
9页	466K
描述
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,3.3V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-343VAR

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NE663M04-T2-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.19 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	13000 MHz	Base Number Matches：	1

NE663M04-T2-A 数据手册

A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.

Preliminary

2SC5509 / NE663M04

Data Sheet

NPN SILICON RF TRANSISTOR

R09DS0056EJ0300

FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

Rev.3.00

Mar 5, 2013

FEATURES

•

Ideal for medium output power amplification

NF = 1.2 dB TYP., G_a= 12 dB TYP. @ V_CE= 2 V, I_C= 10 mA, f = 2 GHz

Maximum available power gain: MAG = 14 dB TYP. @ V_CE= 2 V, I_C= 50 mA, f = 2 GHz

f_T= 25 GHz technology adopted

Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

<R>

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Quantity

Package

Supplying Form

2SC5509

2SC5509-A

50 pcs (Non reel) Flat-lead 4-pin

thin-type super

•

8 mm wide embossed taping

Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Collector) face

the perforation side of the tape

minimold (M04)

(Pb-Free)

2SC5509-T2

2SC5509-T2-A

3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

3.3

1.5

100

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_tot

190

T_j

150

T_stg

−65 to +150

Note Free air.

THERMAL RESISTANCE

Parameter

Symbol

R_{th j-c}

Ratings

Unit

°C /W

Junction to Case Resistance

Junction to Ambient Resistance

R_{th j-a}

650

CAUTION

Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R09DS0056EJ0300 Rev.3.00

Mar 5, 2013

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NE664M04-T2	NEC	获取价格	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04-T2-A	CEL	获取价格	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR
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