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NE66719-T1

更新时间： 2024-11-14 20:30:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	105K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN,

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NE66719-T1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.3 pF	集电极-发射极最大电压：	3.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	21000 MHz
Base Number Matches：	1

NE66719-T1 数据手册

NEC's NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

NE66719

FEATURES

OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)

•

HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 21 GHz

LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz

HIGH MAXIMUM GAIN: 20 dB at f = 2 GHz

PACKAGE OUTLINE 19

1.6±0.1

0.8±0.1

DESCRIPTION

NEC's NE66719 is fabricated using NEC's UHS0 25 GHz fT

wafer process. This device is ideal for oscillator or low noise

amplifier applications at 2 GHz and above.

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE66719

2SC55667

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

100

ICBO

IEBO

hFE

Collector Cutoff Current at VCB = 5V, IE = 0

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

Forward Current Gain²at VCE = 2 V, IC = 5 mA

Gain Bandwidth at VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

GHz

MAG

MSG

|S21e|²

Maximum Available Power Gain⁴at VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

Maximum Stable Gain⁵at VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

Insertion Power Gain at VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Insertion Power Gain at VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz, ZS = ZOPT

Third Order Intercept Point at VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

Feedback Capacitance³at VCB = 2 V, IC = 0, f = 1 MHz

12.5

13.5

11.0

11.5

1.1

9.0

9.5

1.5

IP3

Cre

0.24

0.30

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when emitter pin is connected to the guard pin.

S21

S12

(^{K- (K}²^-1))

4. MAG =

S21

5. MSG =

S12

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NE677M04	CEL	获取价格	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE677M04-T2	ETC	获取价格	NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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