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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68037 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | MACRO-X |
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| NE68039 | NEC |
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S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, 39, 4 PIN |
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| NE68039R | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| NE68039R-T1 | NEC |
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NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68039R-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
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| NE68039-T1 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68039-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-143 |
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| NE68039-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
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| NE680M03 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE681 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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