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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, 39, 4 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68039R | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| NE68039R-T1 | NEC |
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NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68039R-T2 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
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| NE68039-T1 | NEC |
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NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68039-T1-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-143 |
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| NE68039-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN |
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| NE680M03 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE681 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE681 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68100 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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