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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.38 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68119-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE68130 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| NE68130-T1 | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68130-T1 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68130-T1 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68130-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68130-T1-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, LEAD FRE |
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| NE68130-T1-A | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68130-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE68132 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | TO-236 |
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