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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, 33, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68133-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68133-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| NE68133-T1B | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68133-T1B | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68133-T1B | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68133-T1B-A | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE68133-T1B-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, LEAD FRE |
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| NE68133-T1B-R34-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68133-T1B-R35-A | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| NE68133-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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