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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-PQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-PQMW-F4 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.165 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3511S02-T1D | CEL |
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X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE3511S02-T1D-A | CEL |
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X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE3512S02 | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3512S02-T1C | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3512S02-T1C-A | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3512S02-T1D | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3512S02-T1D-A | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3513M04 | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04 | RENESAS |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2 | RENESAS |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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