是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | MICROWAVE, R-PQMW-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.19 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 3 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.02 A |
FET 技术: | HETERO-JUNCTION | 最高频带: | KU BAND |
JESD-30 代码: | R-PQMW-F4 | JESD-609代码: | e6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROWAVE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.165 W |
最小功率增益 (Gp): | 12.5 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE3511S02-T1D | CEL | X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE3511S02-T1D-A | CEL | X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE3512S02 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NE3512S02-T1C | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NE3512S02-T1C-A | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NE3512S02-T1D | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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