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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NDS8410A
NDS8410A PDF预览

NDS8410A

更新时间： 2024-11-10 22:40:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 266K
描述
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8410A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.39
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：10.8 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS8410A 数据手册

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March 1997  
NDS8410A  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
10.8 A, 30 V. RDS(ON) = 0.012 W @ VGS = 10 V  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
RDS(ON) = 0.017 W @ VGS = 4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
5
6
7
8
4
3
2
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS8410A  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
10.8  
50  
2.5  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
PD  
1.2  
(Note 1c)  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8410A Rev.C1  
1234567...10

中文翻译

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NDS8410A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6912A FAIRCHILD

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FDS6690A FAIRCHILD

类似代替

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FDS6930A FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

与NDS8410A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8410A_04 FAIRCHILD

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NDS8410AD84Z FAIRCHILD

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NDS8410AF011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDS8410AL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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