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NDS8425D84Z

更新时间： 2024-09-30 13:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 240K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS8425D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：7.4 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS8425D84Z 数据手册

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January 2001  
NDS8425  
Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power  
Trench process that has been especially tailored to  
minimize on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
•
7.4 A, 20 V.  
RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS = 2.7 V  
•
•
•
Fast switching speed  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint package.  
Low gate charge (11nC typical)  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
Applications  
•
•
DC/DC converter  
Load switch  
•
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±8  
±7.4  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
±20  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
(Note 1c)  
1
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NDS8425  
NDS8425  
13’’  
12mm  
2500 units  
NDS8425 Rev D (W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
12345678

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与NDS8425D84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8425F011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS8425L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS8426 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8426/L86Z TI

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 		9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8426A FAIRCHILD

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 		Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8426A_NL FAIRCHILD

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NDS8426AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AS62Z FAIRCHILD

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