NDS8433

更新时间： 2024-09-29 22:45:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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10页	333K
描述
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8433 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5.2 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS8433 数据手册

June 1996

NDS8433

Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-5.2A, -20V. R_DS(ON)= 0.055W @ V_GS= -4.5V

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

R_DS(ON)= 0.075W @ V_GS= -2.7V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON).

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

____________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS8433

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

V_DSS

V_GSS

I_D

-8

-5.2

(Note 1a)

-20

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

P_D

1.2

(Note 1c)

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDS8433 Rev. B1

12 3 4 5 6 7...10

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NDS8433 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS9430A	FAIRCHILD	功能相似	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NDS8433相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS8433/L86Z	TI	获取价格	5200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8433/L99Z	TI	获取价格	5200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8433/S62Z	TI	获取价格	5200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8433D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS8433L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS8433L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS8433S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDS8434	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8434	TI	获取价格	6500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8434	ONSEMI	获取价格	单路 P 沟道增强型场效应晶体管 -20V，-6.5A，35mΩ

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