NDS8426

更新时间： 2024-02-09 04:47:26

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	267K
描述
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NDS8426 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

NDS8426 数据手册

September 1997

NDS8426

Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

9.9 A, 20 V. R_DS(ON)= 0.015 W @ V_GS= 4.5 V.

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

R_DS(ON)= 0.020 W @ V_GS= 2.7 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

____________________________________________________________________________________________

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS8426

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

9.9

2.5

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.2

(Note 1c)

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDS8426 Rev.E

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

NDS8426 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS6670A	ONSEMI	功能相似	单 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，13A，8mΩ
FDS6680A	ONSEMI	功能相似	单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680A_NL	FAIRCHILD	功能相似	暂无描述

与NDS8426相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS8426/L86Z	TI	获取价格	9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8426A	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8426A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NDS8426AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS8426L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS8433	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NDS8426相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDS8426

NDS8426 技术参数

NDS8426 数据手册

NDS8426 替代型号

与NDS8426相关器件

与NDS8426相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDS8426

NDS8426 技术参数

NDS8426 数据手册

NDS8426 替代型号

与NDS8426相关器件

与NDS8426相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？