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NDS8426

更新时间： 2024-11-10 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 267K
描述
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8426 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.9 A
最大漏极电流 (ID)：9.9 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS8426 数据手册

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September 1997  
NDS8426  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
9.9 A, 20 V. RDS(ON) = 0.015 W @ VGS= 4.5 V.  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
RDS(ON) = 0.020 W @ VGS= 2.7 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
5
6
4
3
2
1
7
8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS8426  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
8
V
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
9.9  
20  
2.5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
1.2  
(Note 1c)  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8426 Rev.E  
1234567...10

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NDS8426 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6670A ONSEMI

功能相似

 单 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，13A，8mΩ
FDS6680A ONSEMI

功能相似

 单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680A_NL FAIRCHILD

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 暂无描述

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8426/L86Z TI

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 		Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8426A_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8426AL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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