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NDS8426AL86Z

更新时间： 2024-11-11 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 330K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS8426AL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS8426AL86Z 数据手册

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January 1998  
NDS8426A  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
10.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.0135 W @ VGS= 4.5 V.  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state  
resistance and provide superior switching performance.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
RDS(ON) = 0.016 W @ VGS= 2.7 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
___________________________________________________________________________________________  
5
6
4
3
2
1
7
8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS8426A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
±8  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain Current - Continuous  
(Note 1a)  
10.5  
- Pulsed  
30  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
PD  
1.2  
1
(Note 1c)  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8426A Rev.B1  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8426AL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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