NDC632P

更新时间： 2024-10-25 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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10页	255K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDC632P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDC632P 数据手册

June1996

NDC632P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These P-Channel logic level enhancement mode

power field effect transistors are produced using

Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS

technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage

applications such as notebook computer power

management and other battery powered circuits

where fast high-side switching, and low in-line power

loss are needed in a very small outline surface

mount package.

-2.7A, -20V. R_DS(ON)= 0.14W @ V_GS= -4.5V

R_DS(ON)= 0.2W @ V_GS= -2.7V.

Proprietary SuperSOT^TM-6 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

___________________________________________________________________________________________

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_A= 25°C unless otherwise noted

NDC632P

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

-20

-8

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-2.7

-10

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

(Note 1c)

0.8

T_J,T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDC632P Rev. B1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDC632P/D87Z	TI	获取价格	2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC632P/L99Z	TI	获取价格	2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC632P/S62Z	TI	获取价格	2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC632P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC632PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC632PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC632PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC651N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC651N	TI	获取价格	3200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC651N/D87Z	TI	获取价格	暂无描述

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