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NDC651N_NL

更新时间： 2024-10-26 20:08:35

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	67K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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NDC651N_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDC651N_NL 数据手册

March 1996

NDC651N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is tailored to minimize on-state resistance. These

devices are particularly suited for low voltage applications in

notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and

other battery powered circuits where fast switching, and low

in-line power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

3.2A, 30V. R_DS(ON)= 0.09W @ V_GS= 4.5V

R_DS(ON)= 0.06W @ V_GS= 10V.

Proprietary SuperSOT^TM-6 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

____________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

NDC651N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

3.2

(Note 1a)

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

(Note 1c)

0.8

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDC651N Rev. D1

12 3 4 5 6 7

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与NDC651N_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDC651ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDC651NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDC651NX	TI	获取价格	3200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6
NDC652	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P	TI	获取价格	2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC652P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P/S62Z	TI	获取价格	2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC652P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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