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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.8 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDC652P/S62Z | TI |
获取价格 |
2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC652P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDC652PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC652PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC652PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC652PX | TI |
获取价格 |
2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 |
|
| NDC7001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDC7001C | TI |
获取价格 |
510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC7001C | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管，60V |
|
| NDC7001C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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