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NDC7001CL99Z

更新时间： 2024-11-18 16:44:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	110K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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NDC7001CL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.51 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDC7001CL99Z 数据手册

March 1996

NDC7001C

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These dual N and P-channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process has been designed to minimize on-state resistance,

provide rugged and reliable performance and fast switching.

These devices is particularly suited for low voltage, low

current, switching, and power supply applications.

N-Channel 0.51A, 50V, R_DS(ON)= 2W @ V_GS=10V

P-Channel -0.34A, -50V. R_DS(ON)= 5W @ V_GS=-10V.

High density cell design for low R_DS(ON)

Proprietary SuperSOT^TM-6 package design using copper

lead frame for superior thermal and electrical capabilities.

High saturation current.

____________________________________________________________________________________________

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_A= 25°C unless otherwise noted

N-Channel

P-Channel

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

-50

-20

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

0.51

1.5

-0.34

-1

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.96

0.9

P_D

(Note 1c)

0.7

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

130

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

NDC7001C.SAM

12 3 4 5 6 7...10

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与NDC7001CL99Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDC7001CS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
NDC7002	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7002N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道增强型场效应晶体管，50V，0.51A，2Ω
NDC7002N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7002N	TI	获取价格	510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC7002N	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:50V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:0.51A;栅极-源极
NDC7002N/D87Z	TI	获取价格	510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC7002N/L99Z	TI	获取价格	510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC7002N/S62Z	TI	获取价格	510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC7002N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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