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NDC7002ND87Z

更新时间： 2024-11-18 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 258K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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NDC7002ND87Z 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (ID)：0.51 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDC7002ND87Z 数据手册

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March 1996  
NDC7002N  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been designed to minimize  
on-state resistance, provide rugged and reliable  
performance and fast switching. These devices is  
particularly suited for low voltage applications requiring a  
low current high side switch.  
0.51A, 50V, RDS(ON) = 2W @ VGS=10V  
High density cell design for low RDS(ON)  
Proprietary SuperSOTTM-6 package design using copper  
lead frame for superior thermal and electrical capabilities.  
.
High saturation current.  
____________________________________________________________________________________________  
3
2
1
4
5
6
SOT-6 (SuperSOTTM-6)  
Absolute Maximum RatingsTA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDC7002N  
Units  
Drain-Source Voltage  
50  
20  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
0.51  
1.5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
W
0.9  
(Note 1c)  
0.7  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDC7002N.SAM  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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