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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.51 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDC7001C/L99Z | TI |
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510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC7001C/S62Z | TI |
获取价格 |
510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC7001CL99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| NDC7001CS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| NDC7002 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDC7002N | ONSEMI |
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双 N 沟道增强型场效应晶体管，50V，0.51A，2Ω |
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| NDC7002N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDC7002N | TI |
获取价格 |
510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC7002N | UMW |
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漏源电压（Vdss）:50V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:0.51A;栅极-源极 |
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| NDC7002N/D87Z | TI |
获取价格 |
510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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