5秒后页面跳转
NDC652P/S62Z PDF预览

NDC652P/S62Z

更新时间: 2024-11-18 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDC652P/S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):2.4 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:0.8 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDC652P/S62Z 数据手册

 浏览型号NDC652P/S62Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDC652P/S62Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDC652P/S62Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDC652P/S62Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDC652P/S62Z的Datasheet PDF文件第6页 

与NDC652P/S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDC652P_NL FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PD84Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PL99Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PS62Z FAIRCHILD

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDC652PX TI

获取价格

2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6
NDC7001 FAIRCHILD

获取价格

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001C TI

获取价格

510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDC7001C ONSEMI

获取价格

双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管,60V
NDC7001C FAIRCHILD

获取价格

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001C/D87Z TI

获取价格

510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET