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NDC652P/S62Z

更新时间: 2024-02-01 21:10:02
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
2400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDC652P/S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):2.4 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:0.8 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDC652P/S62Z 数据手册

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