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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDC632P/L99Z | TI |
获取价格 |
2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC632P/S62Z | TI |
获取价格 |
2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC632P_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDC632PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC632PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC632PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDC651N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDC651N | TI |
获取价格 |
3200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDC651N/D87Z | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| NDC651N/L99Z | TI |
获取价格 |
3200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
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