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NDC632P/D87Z

更新时间: 2024-10-26 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDC632P/D87Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):2.7 A最大漏源导通电阻:0.14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:0.8 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDC632P/D87Z 数据手册

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