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NDC651N

更新时间： 2024-11-17 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 246K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDC651N 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDC651N 数据手册

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March 1996  
NDC651N  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is tailored to minimize on-state resistance. These  
devices are particularly suited for low voltage applications in  
notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and  
other battery powered circuits where fast switching, and low  
in-line power loss are needed in a very small outline surface  
mount package.  
3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09W @ VGS = 4.5V  
RDS(ON) = 0.06W @ VGS = 10V.  
Proprietary SuperSOTTM-6 package design using copper  
lead frame for superior thermal and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
____________________________________________________________________________________________  
4
3
2
5
6
1
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise note  
Symbol Parameter  
NDC651N  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
3.2  
(Note 1a)  
15  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
PD  
1
(Note 1c)  
0.8  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDC651N Rev. D1  
1234567...10

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