5秒后页面跳转
NDB710BL PDF预览

NDB710BL

更新时间: 2024-11-18 20:42:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB710BL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.69其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.042 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:150 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDB710BL 数据手册

  

与NDB710BL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDB710BL/L86Z TI

获取价格

40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB710BL86Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
NDB7112E NICHIA

获取价格

Blue Laser Diode
NDBA116T NICHIA

获取价格

Blue Laser Diode for External Cavity
NDBA170N06A ONSEMI

获取价格

N-Channel Power MOSFET
NDBA170N06AT4H ONSEMI

获取价格

N-Channel Power MOSFET
NDBA180N10B ONSEMI

获取价格

N-Channel Power MOSFET
NDBA180N10BT4H ONSEMI

获取价格

N-Channel Power MOSFET
NDC CALMIRCO

获取价格

ISOLATED RESISTOR NETWORK
NDC_NGA_5 MURATA

获取价格

Non-Isolated Wide Input DC/DC Converters