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NCP5181DR2G

更新时间： 2024-11-23 04:37:55
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安森美 - ONSEMI 驱动器
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12页 95K
描述
High Voltage High and Low Side Driver

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NCP5181DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.35差分输出：NO
驱动器位数：1输入特性：STANDARD
接口集成电路类型：LINE DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：15 V
认证状态：Not Qualified最大接收延迟：
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大传输延迟：170 ns宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

NCP5181DR2G 数据手册

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NCP5181  
High Voltage High and Low  
Side Driver  
The NCP5181 is a High Voltage Power MOSFET Driver providing  
two outputs for direct drive of 2 N−channel power MOSFETs arranged  
in a half−bridge (or any other high−side + low−side) configuration.  
It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the  
High−side power switch. The driver works with 2 independent inputs  
to accommodate any topology (including half−bridge, asymmetrical  
half−bridge, active clamp and full−bridge…).  
http://onsemi.com  
IN_HI  
V
BOOT  
IN_LO  
GND  
DRV_HI  
BRIDGE  
Features  
DRV_LO  
V
• High Voltage Range: up to 600 V  
• dV/dt Immunity 50 V/nsec  
CC  
• Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V  
• High and Low DRV Outputs  
• Output Source / Sink Current Capability 1.1 A / 2.4 A  
• 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible  
8
1
• Up to V Swing on Input Pins  
CC  
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
PDIP−8  
P SUFFIX  
CASE 626  
• Matched Propagation Delays between Both Channels  
• Outputs in Phase with the Inputs  
• Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies  
MARKING DIAGRAMS  
• Under V LockOut (UVLO) for Both Channels  
CC  
8
• Pin to Pin Compatible with IR2181(S)  
• These are Pb−Free Devices  
NCP5181P  
AWL  
5181  
ALYWX  
G
YYWWG  
Applications  
1
• High Power Energy Management  
• Half−bridge Power Converters  
• Any Complementary Drive Converters (asymmetrical half−bridge,  
active clamp)  
NCP5181P,  
5181  
= Specific Device Code  
A
L
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
Y, YY = Year  
W, WW = Work Week  
• Full−bridge Converters  
• Bridge Inverters for UPS Systems  
G, G  
= Pb−Free Package  
PIN ASSIGNMENT  
PIN  
FUNCTION  
ORDERING INFORMATION  
IN_HI  
IN_LO  
GND  
Logic Input for High Side Driver Output In Phase  
Logic Input for Low Side Driver Output In Phase  
Ground  
†
Device  
Package  
Shipping  
NCP5181PG  
PDIP−8  
50 Units/Tube  
(Pb−Free)  
DRV_LO  
Low Side Gate Drive Output  
NCP5181DR2G  
SOIC−8  
2.500/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
V
V
Low Side and Main Power Supply  
Bootstrap Power Supply  
CC  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
BOOT  
DRV_HI  
BRIDGE  
High Side Gate Drive Output  
Bootstrap Return or High Side Floating Supply Return  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NCP5181/D  
1234567...12

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NCP5181DR2G 替代型号

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