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NCP5203MNR2G

更新时间： 2024-11-22 22:14:31

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安森美 - ONSEMI		稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管双倍数据速率
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描述
2-in-1 DDR Power Controller

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NCP5203MNR2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	5 X 6 MM, LEAD FREE, QFN-18
针数：	18	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	SWITCHING CONTROLLER	控制模式：	VOLTAGE-MODE
控制技术：	PULSE WIDTH MODULATION	最大输入电压：	5.5 V
最小输入电压：	4.5 V	标称输入电压：	5 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-N18	JESD-609代码：	e3
长度：	6 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	18
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
最大输出电流：	0.4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSON	封装等效代码：	SOLCC18,.2,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	子类别：	Switching Regulator or Controllers
表面贴装：	YES	切换器配置：	PUSH-PULL
最大切换频率：	700 kHz	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	5 mm
Base Number Matches：	1

NCP5203MNR2G 数据手册

NCP5203

2−in−1 DDR Power

Controller

The NCP5203 2−in−1 DDR Power Controller is a complete power

solution for an ACPI compliant high current DDR memory system.

This IC combines the efficiency of a PWM controller for the VDDQ

supply with the simplicity of linear regulator for the VTT

termination voltage. The NCP5203 contains a synchronous PWM

buck controller for driving two external NFETs to form the DDR

memory supply voltage (VDDQ). The $2.0 A user adjustable VTT

terminator regulator has short circuit protection. An internal power

good function monitors both the VDDQ and VTT outputs and signals

if a fault occurs. Protective features include soft−start, undervoltage

monitoring of 5VDUAL, over protection current (OCP), and thermal

shutdown. The IC is packaged in 18−lead QFN.

http://onsemi.com

MARKING

DIAGRAM

NCP5203

18−LEAD QFN, 5 x 6 mm

MN SUFFIX

AWLYYWW

CASE 505

Features

• Supports DDR I and DDR II

• Incorporates VDDQ, VTT Regulators

• Operates from Single 5 V Supply

= Assembly Location

WL = Wafer Lot

YY = Year

WW = Work Week

• VTT Regulator includes Integrated Power FETs Sourcing/Sinking

up to 2.0 A

• All External Power MOSFETs are N−Channel

• Adjustable VDDQ

PIN CONNECTIONS

• Adjustable VTT

• Fixed Switching Frequency of 300 kHz for VDDQ in S0

• Fixed Switching Frequency of 600 kHz for VDDQ in S3

• Soft−Start Protection for VDDQ

• Undervoltage Monitor of 5VDUAL

• Short−Circuit Protection for VDDQ and VTT

• Thermal Shutdown

VDDQEN

VTTEN

PGOOD

REFSNS

FBVTT

AGND

COMP

FBDDQ

VDDQ

VTT

PGND

BST

BGDDQ

TGDDQ

5VDUAL

SWDDQ

OCDDQ

• Housed in QFN−18

• Pb−Free Package is Available*

Typical Applications

ORDERING INFORMATION

• DDR Memory Supply and Termination Voltage

• Active Termination Busses (SSTL−2, SSTL−3)

†

Device

Package

Shipping

NCP5203MNR2

NCP5203MNR2G

QFN

2500 Tape & Reel

QFN

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference

Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

January, 2005 − Rev. 1

NCP5203/D

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