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Datasheet > 电源电路 > 开关式稳压器或控制器> NCP5203MNR2
NCP5203MNR2 PDF预览

NCP5203MNR2

更新时间： 2024-11-22 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
10页 71K
描述
2-in-1 DDR Power Controller

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NCP5203MNR2 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：5 X 6 MM, QFN-18
针数：18Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.21Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER控制模式：VOLTAGE-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：5.5 V
最小输入电压：4.5 V标称输入电压：5 V
JESD-30 代码：R-PDSO-N18JESD-609代码：e3
长度：6 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：18
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
最大输出电流：0.4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC18,.2,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Switching Regulator or Controllers
表面贴装：YES切换器配置：PUSH-PULL
最大切换频率：700 kHz温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：5 mm
Base Number Matches：1

NCP5203MNR2 数据手册

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NCP5203  
2−in−1 DDR Power  
Controller  
The NCP5203 2−in−1 DDR Power Controller is a complete power  
solution for an ACPI compliant high current DDR memory system.  
This IC combines the efficiency of a PWM controller for the VDDQ  
supply with the simplicity of linear regulator for the VTT  
termination voltage. The NCP5203 contains a synchronous PWM  
buck controller for driving two external NFETs to form the DDR  
memory supply voltage (VDDQ). The $2.0 A user adjustable VTT  
terminator regulator has short circuit protection. An internal power  
good function monitors both the VDDQ and VTT outputs and signals  
if a fault occurs. Protective features include soft−start, undervoltage  
monitoring of 5VDUAL, over protection current (OCP), and thermal  
shutdown. The IC is packaged in 18−lead QFN.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM  
1
18  
1
NCP5203  
18−LEAD QFN, 5 x 6 mm  
MN SUFFIX  
AWLYYWW  
CASE 505  
Features  
• Supports DDR I and DDR II  
• Incorporates VDDQ, VTT Regulators  
• Operates from Single 5 V Supply  
A
= Assembly Location  
WL = Wafer Lot  
YY = Year  
WW = Work Week  
• VTT Regulator includes Integrated Power FETs Sourcing/Sinking  
up to 2.0 A  
• All External Power MOSFETs are N−Channel  
• Adjustable VDDQ  
PIN CONNECTIONS  
• Adjustable VTT  
• Fixed Switching Frequency of 300 kHz for VDDQ in S0  
• Fixed Switching Frequency of 600 kHz for VDDQ in S3  
• Soft−Start Protection for VDDQ  
• Undervoltage Monitor of 5VDUAL  
• Short−Circuit Protection for VDDQ and VTT  
• Thermal Shutdown  
VDDQEN  
VTTEN  
PGOOD  
REFSNS  
FBVTT  
AGND  
SS  
COMP  
FBDDQ  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
VDDQ  
VTT  
PGND  
BST  
BGDDQ  
TGDDQ  
5VDUAL  
SWDDQ  
OCDDQ  
• Housed in QFN−18  
• Pb−Free Package is Available*  
Typical Applications  
ORDERING INFORMATION  
• DDR Memory Supply and Termination Voltage  
• Active Termination Busses (SSTL−2, SSTL−3)  
†
Device  
Package  
Shipping  
NCP5203MNR2  
NCP5203MNR2G  
QFN  
2500 Tape & Reel  
2500 Tape & Reel  
QFN  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 1  
NCP5203/D  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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