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NCEP088NH150GU

更新时间： 2024-04-09 19:00:01

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新洁能 - NCEPOWER		栅
页数	文件大小	规格书
7页	737K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

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NCEP088NH150GU 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP088NH150GU

Typical Electrical and Thermal Characteristics

T_J-Junction Temperature(℃)

Vds Drain-Source Voltage (V)

Figure 4 Rdson-Junction Temperature

Figure 1 Output Characteristics

Qg Gate Charge (nC)

Vgs Gate-Source Voltage (V)

Figure 5 Gate Charge

Figure 2 Transfer Characteristics

Vsd Source-Drain Voltage (V)

I_D- Drain Current (A)

Figure 6 Source- Drain Diode Forward

Figure 3 Rdson- Drain Current

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page4

V1.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP090N10AGU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP090N10GU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
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