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NCEP11N10AK

更新时间： 2024-11-21 17:01:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 363K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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http://www.ncepower.com  
NCEP11N10AK  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP11N10AK uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
● VDS =100V,ID =55A  
R
R
DS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=10V  
DS(ON)=14.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
TO-252-2L  
Top View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP11N10AK  
NCEP11N10AK  
TO-252-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
100  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
55  
39  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
220  
115  
0.77  
156  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.3  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP11N10AQU NCEPOWER

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NCEP11N10AS NCEPOWER

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