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NCEP11N10AQU

更新时间： 2024-11-21 15:19:07
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 321K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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http://www.ncepower.com  
NCEP11N10AQU  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP11N10AQU uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =55A  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
R
DS(ON)=10.5mΩ (typical) @ VGS=10V  
DS(ON)=13.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
R
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
DFN 3.3X3.3  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP11N10AQU  
NCEP11N10AQU  
DFN3.3X3.3-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
100  
±20  
V
V
VDS  
VGS  
55  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
39  
A
220  
A
Maximum Power Dissipation  
70  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.56  
156  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.79  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP11N10AS NCEPOWER

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