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NCEP090N85AQU

更新时间： 2024-11-21 15:19:27

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	320K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP090N85AQU 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP090N85AQU

NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description

General Features

The NCEP090N85AQU uses Super Trench II technology that

is uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely low

combination of R_DS(ON)and Q_g. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

● V_DS=85V,I_D=56A

_DS(ON)=8.5mΩ (typical) @ V_GS=10V

_DS(ON)=11.5mΩ (typical) @ V_GS=4.5V

● Excellent gate charge x R_DS(on)product(FOM)

● Very low on-resistance R_DS(on)

● 150 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

Application

● DC/DC Converter

● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

DFN 3.3X3.3

Schematic Diagram

Top View

Bottom View

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCEP090N85AQU NCEP090N85AQU

DFN3.3X3.3-8L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

V^DS

V^GS

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

224

Maximum Power Dissipation

P_D

Derating factor

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

0.48

156

W/℃

℃

E_AS

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

2.08

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V1.0

12 3 4 5 6 7

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