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NCEP10N12D

更新时间： 2024-11-21 17:00:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 417K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP10N12,NCEP10N12D  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
● VDS =120V,ID =70A  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON)=8.5mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V  
RDS(ON)=8.2mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
R
DS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
Application  
● DC/DC Converter  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
rectification  
TO-220  
TO-263  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP10N12  
NCEP10N12  
NCEP10N12D  
TO-220  
-
-
-
-
-
-
NCEP10N12D  
TO-263  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
120  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
70  
50  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
280  
120  
0.8  
352  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 4)  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
1.25  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
http://www.ncepower.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP10N12G NCEPOWER

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