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NCEP10N85AQ

更新时间： 2024-11-21 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 320K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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http://www.ncepower.com  
NCEP10N85AQ  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP10N85AQ uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
● VDS =85V,ID =51A  
R
R
DS(ON)=9.5mΩ (typical) @ VGS=10V  
DS(ON)=12.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on)  
and synchronous rectification.  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
DFN 3.3X3.3  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP10N85AQ  
NCEP10N85AQ  
DFN3.3X3.3-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
85  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
51  
37  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
204  
56  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.45  
156  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
2.23  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP11N10AGU NCEPOWER

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