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NCE65T900F

更新时间： 2024-04-09 18:59:35
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 606K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

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NCE65T900F 数据手册

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NCE65T900D，NCE65T900, NCE65T900F  
NCE65T900  
Parameter  
Symbol  
NCE65T900F  
Unit  
NCE65T900D  
Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V,  
Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
* limited by maximum junction temperature  
50  
15  
dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
V/ns  
°C  
-55...+150  
TJ,TSTG  
Table 2. Thermal Characteristic  
Parameter  
NCE65T900  
Symbol  
NCE65T900F  
Unit  
NCE65T900D  
Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum）  
Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum）  
RthJC  
RthJA  
2.72  
62  
4.3  
80  
°C /W  
°C /W  
Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
On/off states  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
VDS=650V,VGS=0V  
VDS=650V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
VDS=VGS,ID=250μA  
VGS=10V, ID=2.5A  
650  
V
μA  
μA  
nA  
V
1
IDSS  
50  
IGSS  
±100  
VGS(th)  
RDS(ON)  
3
4
Drain-Source On-State Resistance  
Dynamic Characteristics  
Input Capacitance  
750  
900  
mΩ  
Clss  
Coss  
Crss  
Qg  
370  
25  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
VDS=50V,VGS=0V,  
F=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
0.5  
10.5  
2.6  
5.3  
15  
VDS=480V,ID=5A,  
VGS=10V  
Gate-Source Charge  
Qgs  
Qgd  
Gate-Drain Charge  
Switching times  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
7
3
nS  
nS  
nS  
nS  
Turn-on Rise Time  
VDD=380V,ID=3A,  
RG=5Ω,VGS=10V  
Turn-Off Delay Time  
52  
10  
62  
16  
Turn-Off Fall Time  
Source- Drain Diode Characteristics  
Source-drain current(Body Diode)  
Pulsed Source-drain current(Body Diode)  
Forward on voltage  
ISD  
ISDM  
VSD  
trr  
5
A
A
TC=25°C  
20  
1.2  
Tj=25°C,ISD=5A,VGS=0V  
0.9  
210  
0.66  
6.5  
V
Reverse Recovery Time  
nS  
uC  
A
Reverse Recovery Charge  
Peak reverse recovery current  
Qrr  
Tj=25°C,IF=2.5A,di/dt=100A/μs  
Irrm  
Notes: 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, RG=25Ω  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 2  
http://www.ncepower.com  
v1.0  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE65T900K NCEPOWER

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