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NCE70H10F

更新时间： 2024-09-20 15:19:19
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 388K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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http://www.ncepower.com  
NCE70H10F  
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE70H10F uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This  
device is suitable for use in PWM, load switching and general  
purpose applications.  
General Features  
● VDS =70V,ID =100A  
Schematic diagram  
RDS(ON) < 5.5 mΩ @ VGS=10V (Typ:4.8mΩ)  
● High density cell design for ultra low Rdson  
● Fully characterized avalanche voltage and current  
● Special designed for convertors and power controls  
● Good stability and uniformity with high EAS  
● Excellent package for good heat dissipation  
● Special process technology for high ESD capability  
Marking and pin assignment  
Application  
● Power switching application  
● Hard switched and High frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
100% UIS TESTED!  
TO-220F top view  
100% ∆Vds TESTED!  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCE70H10F  
NCE70H10F  
TO-220F  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
70  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
100  
70.7  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
320  
A
Maximum Power Dissipation  
45  
W
PD  
Derating factor  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
0.3  
W/℃  
mJ  
℃
EAS  
812  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
3.3  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v2.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE70N100I NCEPOWER

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