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NCE65TF130

更新时间： 2024-11-19 15:19:03
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
10页 1828K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-IIITF系列功率MOSFET产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证

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NCE65TF130D,NCE65TF130,NCE65TF130F  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ  
General Description  
The series of devices use advanced trench gate super  
junction technology and design to provide excellent RDS(ON)  
with low gate charge. This super junction MOSFET fits the  
industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC  
power conversion, and industrial power applications.  
VDS  
650  
120  
28  
V
mΩ  
A
RDS(ON)TYP  
ID  
Features  
●Optimized body diode reverse recovery performance  
●Low on-resistance and low conduction losses  
●Small package  
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
●100% Avalanche Tested  
●ROHS compliant  
Application  
Schematic diagram  
●
●
●
●
Power factor correction（PFC）  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power Supply（UPS）  
LLC Half-bridge  
Intrinsic fast-recovery body diode  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
TO-263  
Marking  
NCE65TF130D  
NCE65TF130  
NCE65TF130F  
NCE65TF130D  
NCE65TF130  
NCE65TF130F  
TO-220  
TO-220F  
TO-263  
TO-220  
TO-220F  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)  
NCE65TF130D  
Parameter  
Symbol  
NCE65TF130F  
Unit  
NCE65TF130  
650  
V
V
Drain-Source Voltage (VGS=0V）  
VDS  
VGS  
±40  
±30  
Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)  
Gate-Source Voltage (VDS=0V)  
V
VGS  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
28  
18  
28*  
18*  
A
ID (DC)  
ID (DC)  
IDM (pluse)  
PD  
A
(Note 1)  
112  
260  
2.08  
112*  
35  
A
Pulsed drain current  
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)  
W
W/°C  
mJ  
A
Derate above 25°C  
0.28  
(Note 2)  
676  
5.2  
EAS  
IAR  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current(Note 1)  
Repetitive Avalanche energy ，tAR limited by Tjmax  
(Note 1)  
3.2  
EAR  
mJ  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
v1.3  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE65TF130D NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-IIITF系列功率MOSFET
NCE65TF130F NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-IIITF系列功率MOSFET
NCE65TF130T NCEPOWER

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NCE65TF180 NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-IIITF系列功率MOSFET
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 		新洁能提供的12V~100VComplementary（N、P型互补式）MOSFET产品，
NCE6802 NCEPOWER

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 		????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET

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