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NCE65TF068T

更新时间： 2024-11-19 15:19:39

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	400K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-IIITF系列功率MOSFET产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证

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NCE65TF068T 数据手册

NCE65TF068T

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced super junction

technology and design to provide excellent R^DS(ON)with low

gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s

AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power

conversion, and industrial power applications.

V_DS

650

mΩ

R_{DS(ON) TYP.}

I_D

Features

●New technology for high voltage device

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

● Power factor correction（PFC）

● Switched mode power supplies(SMPS)

● Uninterruptible Power Supply（UPS）

Schematic diagram

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE65TF068T

TO-247

NCE65TF068T

TO-247

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

V^DS

Value

650

±30

Unit

Drain-Source Voltage (V^GS=0V）

Gate-Source Voltage (V^DS=0V) AC (f>1 Hz)

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

V^GS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

(Note 1)

212

435

3.48

1440

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

Derate above 25°C

W/°C

(Note 2)

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

(Note 1)

Avalanche current

Repetitive Avalanche energy ，t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

E_AR

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

1.1

12 3 4 5 6 7

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