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MWS5101ADL3X

更新时间: 2024-10-28 17:48:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

MWS5101ADL3X 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.84
最长访问时间:350 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.008 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MWS5101ADL3X 数据手册

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