是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 250 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T22 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1024 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 端子数量: | 22 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256X4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP22,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.008 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MWS5101AEL3 | INTERSIL |
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256-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5101AEL3X | INTERSIL |
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256-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5101DL3X | INTERSIL |
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256-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5101EL2 | INTERSIL |
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256-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5101EL2X | RENESAS |
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IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,PLASTIC | |
MWS5101ELS | INTERSIL |
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256-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114 | INTERSIL |
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1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114_1 | INTERSIL |
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1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114D1 | INTERSIL |
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1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114D1 | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18, DIP-18 |