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MWS5114E2

更新时间: 2024-11-21 20:28:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 100K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, DIP-18

MWS5114E2 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP-18
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:250 ns其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码:R-PDIP-T18内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL最大供电电压 (Vsup):6.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MWS5114E2 数据手册

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