生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T18 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX4 | |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 最大供电电压 (Vsup): | 6.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MWS5114D3X | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114D3X | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, CDIP18, DIP-18 | |
MWS5114E1 | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114E1 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 | |
MWS5114E2 | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114E2 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 | |
MWS5114E2X | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM | |
MWS5114E2X | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 | |
MWS5114E3 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 | |
MWS5114E3 | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM |