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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 300 ns | 其他特性： | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX4 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 最大供电电压 (Vsup)： | 6.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWS5114E2 | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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| MWS5114E2 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| MWS5114E2X | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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| MWS5114E2X | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| MWS5114E3 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
|
| MWS5114E3 | INTERSIL |
获取价格 |
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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| MWS5114E3X | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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| MWS5CTEG100J | KOA |
获取价格 |
规格搜索-详情表示 |
|
| MWS5CTEG101J | KOA |
获取价格 |
规格搜索-详情表示 |
|
| MWS5CTEG110J | KOA |
获取价格 |
规格搜索-详情表示 |
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