是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | TO-247AE | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 6 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 810 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 32 A | 最大漏极电流 (ID): | 32 A |
最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AE | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 128 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MTW32N20E | ONSEMI |
完全替代 |
Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247 | |
IRFP250NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
STW40NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTW32N25 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM | |
MTW32N25E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM | |
MTW33N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM | |
MTW35N15E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM | |
MTW35N15EG | ONSEMI |
获取价格 |
35A, 150V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE, GREEN, CASE 340K-01, 3 PIN | |
MTW36N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
MTW45N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM | |
MTW45N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM | |
MTW4N80 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE | |
MTW4N80E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |