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MTW35N15EG PDF预览

MTW35N15EG

更新时间： 2024-02-14 12:47:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 165K
描述
35A, 150V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE, GREEN, CASE 340K-01, 3 PIN

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MTW35N15EG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AE包装说明：GREEN, CASE 340K-01, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：600 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：105 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTW35N15EG 数据手册

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MTW35N15E  
Preferred Device  
Power MOSFET  
35 Amps, 150 Volts  
N−Channel TO−247  
This advanced Power MOSFET is designed to withstand high  
energy in the avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast  
recovery time. Designed for low voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor controls,  
these devices are particularly well suited for bridge circuits where  
diode speed and commutating safe operating areas are critical and  
offer additional safety margin against unexpected voltage transients.  
• Avalanche Energy Specified  
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
http://onsemi.com  
35 AMPERES  
150 VOLTS  
R
DS(on) = 50 mΩ  
N−Channel  
D
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
G
• Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Hardware  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
4
Rating  
Drain−Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DSS  
150  
Vdc  
TO−247AE  
CASE 340K  
Style 1  
Drain−Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
V
150  
Vdc  
GS  
DGR  
Gate−Source Voltage  
− Continuous  
1
2
V
GS  
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
3
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
− Non−Repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
GSM  
Drain Current − Continuous  
Drain Current − Continuous @ 100°C  
Drain Current − Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
35  
26.9  
105  
Adc  
Apk  
D
4
D
Drain  
I
DM  
p
Total Power Dissipation  
P
D
180  
Watts  
Derate above 25°C  
1.45  
W/°C  
MTW35N15E  
LLYWW  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
600  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 80 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
Gate  
3
I = 20 Apk, L = 3.0 mH, R = 25 Ω)  
L
G
Source  
Thermal Resistance − Junction to Case  
Thermal Resistance − Junction to Ambient  
R
R
0.70  
62.5  
°C/W  
°C  
θ
JC  
JA  
2
θ
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MTW35N15E  
Package  
Shipping  
TO−247  
30 Units/Rail  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
February, 2005 − Rev. XXX  
MTW35N15E/D  
12345678

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与MTW35N15EG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTW36N10E MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
MTW45N10 MOTOROLA

获取价格

 		TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM
MTW45N10E MOTOROLA

获取价格

 		TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM
MTW4N80 MOTOROLA

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 		TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
MTW4N80E MOTOROLA

获取价格

 		TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
MTW54N05E MOTOROLA

获取价格

 		High Energy in the Avalanche and Commutation modes
MTW-5S33 ETC

获取价格

 		Analog IC
MTW60-51212 TDK

获取价格

 		15W to 60W Low Profi le Triple Output Power Supplies
MTW60-51212-V TDK

获取价格

 		AC-DC Power Factor Correction Module,
MTW60-51215-V TDK

获取价格

 		AC-DC Power Factor Correction Module

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