是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | Single | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 36 A | 最大漏极电流 (ID): | 36 A |
最大漏源导通电阻: | 0.058 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTW45N10 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM | |
MTW45N10E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 45 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.035 OHM | |
MTW4N80 | MOTOROLA |
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TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE | |
MTW4N80E | MOTOROLA |
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TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE | |
MTW54N05E | MOTOROLA |
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High Energy in the Avalanche and Commutation modes | |
MTW-5S33 | ETC |
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Analog IC | |
MTW60-51212 | TDK |
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15W to 60W Low Profi le Triple Output Power Supplies | |
MTW60-51212-V | TDK |
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AC-DC Power Factor Correction Module, | |
MTW60-51215-V | TDK |
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AC-DC Power Factor Correction Module | |
MTW60-51512-V | TDK |
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AC-DC Power Factor Correction Module |