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MTW8N50E

更新时间: 2024-11-22 22:14:35
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管
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2页 74K
描述
TMOS E FET POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

MTW8N50E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON

MTW8N50E 数据手册

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