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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | Single | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTW4N80E | MOTOROLA |
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TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
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| MTW54N05E | MOTOROLA |
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High Energy in the Avalanche and Commutation modes |
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| MTW-5S33 | ETC |
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Analog IC |
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| MTW60-51212 | TDK |
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15W to 60W Low Profi le Triple Output Power Supplies |
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| MTW60-51212-V | TDK |
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AC-DC Power Factor Correction Module, |
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| MTW60-51215-V | TDK |
获取价格 |
AC-DC Power Factor Correction Module |
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| MTW60-51512-V | TDK |
获取价格 |
AC-DC Power Factor Correction Module |
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| MTW60-51515 | TDK |
获取价格 |
15W to 60W Low Profi le Triple Output Power Supplies |
|
| MTW60-51515-V | TDK |
获取价格 |
AC-DC Power Factor Correction Module, |
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| MTW6N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM |
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