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MTD5P06V

更新时间： 2024-11-25 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK

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MTD5P06V 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.14
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTD5P06V 数据手册

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MTD5P06V  
Preferred Device  
Power MOSFET  
5 Amps, 60 Volts  
P−Channel DPAK  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high  
speed switching applications in power supplies, converters and power  
motor controls, these devices are particularly well suited for bridge  
circuits where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected voltage  
transients.  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
60 V  
340 mW  
5.0 A  
• Avalanche Energy Specified  
P−Channel  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
G
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
60  
GS  
S
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
± 15  
± 25  
Vdc  
Vpk  
GS  
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
MARKING DIAGRAMS  
4
Drain Current − Continuous @ 25°C  
Drain Current − Continuous @ 100°C  
I
D
I
D
5
4
Adc  
4
Drain  
Drain Current − Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
18  
Apk  
p
DM  
2
1
Total Power Dissipation @ 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
40  
0.27  
2.1  
Watts  
W/°C  
Watts  
3
DPAK  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
CASE 369C  
(Note 2.)  
2
Style 2  
1
Gate  
3
Operating and Storage Temperature Range T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Drain  
Source  
4
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy − Starting T = 25°C  
E
AS  
125  
mJ  
Drain  
J
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, Peak  
DD  
GS  
I = 5 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
L
G
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction to Case  
− Junction to Ambient (Note 1.)  
− Junction to Ambient (Note 2.)  
°C/W  
°C  
R
R
R
3.75  
100  
71.4  
θ
JC  
JA  
JA  
DPAK  
CASE 369D  
Style 2  
θ
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10  
seconds  
T
260  
L
5P06V  
Y
WW  
Device Code  
= Year  
= Work Week  
1
2
3
Gate Drain Source  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum  
recommended pad size.  
2. When surface mounted to an FR−4 board using the 0.5 sq.in. drain pad size.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTD5P06V  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
DPAK  
Straight Lead  
NTD5P06V−1  
NTD5P06VT4  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
November, 2003 − Rev. 3  
MTD5P06V/D  
 
12345678

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MTD5P06V 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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